4.2 p- ja n-tyypin puolijohteet
Puolijohteet johtavat puhtaina huonosti sähköä. Puolijohteen
sähkönjohtokykyä voidaan parantaa seostamalla siihen pieniä määriä sopivasti
valitun toisen aineen atomeja, ns. epäpuhtausatomeja. Tätä kutsutaan
puolijohteen douppaamiseksi. Käytettyjä epäpuhtausatomeja on kahdenlaisia:
toisissa on elektroniverhon ulkokuorella yksi elektroni enemmän kuin
alkuperäisessä puolijohdeatomissa, toisissa yksi vähemmän.
Epäpuhtausatomia, jossa ulkokuorella on yksi elektroni
enemmän kuin puolijohteen atomissa, kutsutaan donoriksi eli antajaksi. Donori
luovuttaa kiteeseen ylimääräisen elektronin, ja tämä elektroni voi toimia
varauksenkuljettajana.
Donoreilla seostettua puolijohdetta kutsutaan n-tyypin
puolijohteeksi, koska siinä varauksenkuljettajina toimivat negatiivisesti
varatut elektronit. Esim piistä (joka kuuluu jaksollisen järjestelmän
neljänteen pääryhmään eli sillä on neljä elektronia uloimmalla kuorella)
saadaan n-tyypin puolijohde, kun siihen seostetaan viidennen pääryhmän alkuainetta,
esim arseenia. Arseenilla on uloimmalla kuorellaan viisi elektronia koska se
kuuluu jaksollisen järjestelmän viidenteen pääryhmään. Noista elektroneista
neljä asettuu ympäröivien piiatomien kanssa lujasti arseenin sidoksiin ja
viides jää vapaaksi.
Epäpuhtausatomia, jonka ulkokuorella on yksi elektroni
vähemmän kuin puolijohteen atomissa, kutsutaan akseptoriksi eli ottajaksi.
Atomien välisiin sidoksiin jää akseptorin kohdalle tyhjä paikka, aukko, josta
puuttuu elektroni. Akseptori sitoo aukkoon elektronin naapuriatomista, johon
puolestaan jää aukko. Tähän aukkoon voi siirtyä elektroni toisesta lähiatomista
ja niin edelleen. Kiteessä kulkee silloin sähkövirta atomisidoksesta toiseen
siirtyvien elektronien muodossa. Tällöin sähkövirta on siis aukon etenemistä
kiteessä. Aukko käyttäytyy kuten positiivisesti varautunut hiukkanen ja kulkee
siis vastakkaiseen suuntaan kuin elektronit, siis sähkövirran suuntaan.
Akseptoreilla seostettua puolijohdetta kutsutaan p-tyypin
puolijohteeksi, koska siinä varauksenkuljettajilla (aukoilla) on positiivinen
varaus. Kun piihin seostetaan kolmannen pääryhmän alkuainetta, esim booria,
jolla on siis kolme elektronia uloimmalla kuorellaan koska se kuuluu
jaksollisen järjestelmän kolmanteen pääryhmään), syntyy p-tyypin puolijohde. Booriatomin
ja piiatomien välisiin sidoksiin jää yhteen kohtaan aukko, koska boorilla on
ulkokuorellaan vain kolme elektronia. Aukko toimii sähkönkuljettajana
siirtyessään sidoksesta toiseen koko kiteen läpi.
Jaksollinen järjestelmä
pn-puolijohdeliitos
Puolijohdekomponentteja valmistetaan yhdistämällä eri tavoin seostettuja puolijohteita toisiinsa. Kun p- ja n-tyypin puolijohdepalat liitetään toisiinsa, syntyy pn-liitos, joka on monien puolijohdekomponenttien perusosa.
Kun puolijohteet yhdistetään, liitoskohdan lähistöllä olevia
p-puolen aukkoja alkaa lämpöliikkeen vaikutuksesta siirtyä rajapinnan läpi
n-puolelle ja n-puolen elektroneja p-puolelle. Kun elektroni kohtaa
atomisidoksessa olevan aukon, se asettuu siihen. Tätä kutsutaan
rekombinaatioksi. Elektroni ja aukko eivät enää tämän jälkeen toimi
varauksenkuljettajina. Tällä tavoin liitoskohdan läheisyyteen muodostuu alue,
jossa ei ole varauksenkuljettajia. Aluetta kutsutaan tyhjennysalueeksi.
Kun vapaat elektronit ja aukot ovat hävinneet
pn-liitoskohdan ympäristöstä ja tyhjennysalue on muodostunut, molemmille
puolille pn-liitosta jää nettovaraus. p-puolella on akseptori-ionien aiheuttama
negatiivinen varaus ja n-puolella donori-ionien aiheuttama positiivinen varaus.
Ionit ovat sidottuina kiderakenteeseen, eivätkä ne siksi liiku. Varaukset
aiheuttavat sähkökentän, jonka suunta on n-tyypin puolijohteesta p-tyypin
puolijohteeseen. n- ja p- puolen välistä potentiaalieroa kutsutaan
kynnysjännitteeksi.
pn-liitos ulkoiseen jännitteeseen kytkettynä
Sähkövirran kulkuun pn-liitoksen läpi voidaan vaikuttaa kytkemällä liitos ulkoiseen jännitteeseen. Estosuuntaisessa kytkennässä diodin p-puoli on yhdistetty jännitelähteen negatiiviseen ja n-puoli positiiviseen napaan. Jännitelähteen positiivinen napa vetää puoleensa n-alueen elektroneja ja negatiivinen napa p-alueen aukkoja. Elektronit ja aukot siirtyvät tällöin entistä kauemmas toisistaan ja pn-rajapinnasta. Tyhjennysalue levenee, ja sähkövirran kulku diodin läpi vaikeutuu entisestään.
Diodi on kytketty päästösuuntaan, kun p-puoli on yhdistetty
jännitelähteen positiiviseen ja n-puoli negatiiviseen napaan. Kun
päästösuuntainen jännite ylittää kynnysjännitteen arvon, sähkökentän suunta
liitosalueella on p-alueesta n-alueeseen. Tämä sähkökenttä kuljettaa p-alueen
aukkoja ja n-alueen elektroneja kohti pn-rajapintaa, jossa ne rekombinoituvat. Tällöin
diodin läpi kulkee sähkövirta päästösuuntaan eli p-alueesta n-alueelle.
Diodi ja valo
Kun elektroni rekombinaatiossa siirtyy atomisidoksessa olevaan aukkoon, osa sen energiasta muuttuu sähkömagneettiseksi säteilyksi, mikä voidaan havaita valona jonka väri riippuu valon aallonpituudesta. Loistediodeissa eli ledeissä syntyvä sähkömagneettinen säteily on näkyvän valon alueella.
Energiavyöt
Elektronin energialla voi olla vain tietyt arvot, joita kutsutaan energiatasoiksi. Kiinteässä aineessa, jossa atomit ovat toisiinsa sitoutuneina, elektroni kokee samanaikaisesti monen ytimen vaikutuksen. Tällöin elektronin energian mahdolliset arvot voivat olla erillisten energiatasojen sijasta laajemmilla alueilla, joita kutsutaan energiavöiksi.
Energiavyöt koostuvat suuresta määrästä energiatasoja,
joiden energiat ovat hyvin lähellä toisiaan. Energiavöiden välissä on ns.
kiellettyjä energiavöitä. Aineessa ei voi olla elektroneja, joiden energia on
kielletyn vyön alueella.
Energialtaan korkein energiavyö on valenssivyö.
Valenssivyöllä olevien elektronien avulla kiinteän aineen atomit kiinnittyvät
toisiinsa. Johtavuusvyö on valenssivyön yläpuolella olevien energiatasojen
yhteisnimitys. Johtavuusvyöllä olevat elektronit pääsevät liikkumaan vapaasti. Aine
voi siis johtaa sähköä, jos sen johtavuusvyöllä on elektroneja!
Aineen sähkönjohtavuus riippuu siitä, miten helposti
elektronit voivat siirtyä valenssivyöltä johtavuusvyölle. Johteiden, puolijohteiden
ja eristeiden vyörakenteet poikkeavat toisistaan, mikä selittää niiden
erilaisen kyvyn johtaa sähköä.
Johteissa valenssivyö ja johtavuusvyö ovat ainakin osittain
päällekkäin, jolloin osa valenssivyön alueella olevista elektroneista voi
liikkua aineessa vapaasti. Eristeissä ja puolijohteissa valenssivyön ja
johtavuusvyön välissä o kielletty vyö. Eristeissä kielletty vyö on leveä ja
valenssivyöllä olevan elektronin tulisi saada runsaasti lisäenergiaa, jotta se
voisi siirtyä kielletyn vyön yli johtavuusvyöhön. Siirtyminen tapahtuu harvoin,
ja sen takia eristeet eivät johda sähköä.
Puolijohteissa valenssivyön ja johtavuusvyön välinen
kielletty vyö on kapeampi kuin eristeissä, joten puolijohteissa elektronit
siirtyvät johtavuusvyölle helpommin kuin eristeissä. Puolijohteiden väri
määräytyy johtavuusvyön ja valenssivyön välissä olevan energia-aukon
leveydestä. Tästä johtuu esim sinertävän timantin väri.
Transistori
Transistorit ovat puolijohteista valmistettuja elektroniikan peruskomponentteja. Niitä käytetään mm. vahvistimina, elektronisten muistien elementteinä ja erilaisina kytkiminä. Yksinkertaisimmassa transistorissa (bipolaarinen transistori) on yhdistetty kolme puolijohdetta toisiinsa joko järjestyksessä npn tai pnp. Transistorissa on siis aina sekä päästö- että estosuuntainen liitos.
Kaikki nykyelektroniikka, kuten kotitietokoneet,
digitelevisiot ja laajakaistayhteydet, perustuu transistoritekniikkaan. Yksittäisten
transistorien sijasta nykyelektroniikassa käytetään useiden komponenttien muodostamia
mikropiirejä eli integroituja piirejä. Mikropiirejä ovat esim vahvistimet,
mikroprosessorit ja elektroniset muistit. Yhdessä mikropiirissä saattaa olla
satoja miljooneja transistoreja.
Transistorin toiminta virranvahvistimena perustuu siihen,
että transistorin keskimmäiseen osaan, ns. kantaan (B), viedään pieni
ohjausvirta, jonka avulla kantaan saadaan siirtymään runsaasti
varauksenkuljettajia. Kanta on heikommin saostettu kuin transistorin muut osat,
emitteri (E) ja kollektori (C). Täten vain pieni osa emitteriltä kannalle
tulevista varauksenkuljettajista rekombinoituu ja suurin osa jatkaa ohuen
kannan läpi kollektorille liitoksessa vallitsevan voimakkaan sähkökentän takia.
Pienellä ohjausvirralla voidaan näin saada aikaan suuri sähkövirta emitterin ja
kollektorin välille.